11月14日-16日，2022中國半導體封裝測試技術(shù)和市場年會在江蘇南通國際會議中心盛大舉行，領(lǐng)航先進封裝技術(shù)方向，賦能產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展。

本次年會吸引了包括政府主管部門、國家科技重大專項專家、相關(guān)地方協(xié)會、科研院所、全球知名半導體封測產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)參加。新拓三維受邀參加并攜帶自主研發(fā)的XTDIC-MICRO三維顯微應變測量系統(tǒng)參展，助力半導體封裝缺陷和失效全場監(jiān)測和分析。

電子封裝起著裝置、密封、保護芯片和增強導熱性能的作用，其封裝過程的缺陷和失效是非常復雜的。只有不斷探索封裝缺陷和失效原因，對封裝過程進行全場監(jiān)測與分析，這樣才能精確探究缺陷產(chǎn)生的原因。

新拓三維XTDIC-MICRO非接觸式三維顯微應變測量系統(tǒng)，作為研究電子封裝失效分析的重要測量工具，廣泛應用于芯片半導體熱膨脹、封裝電子板的微變形測試，對芯片半導體熱應變進行全場測量，驗證計算模型的正確性和準確性，主要分析芯片在熱力學環(huán)境下可靠性問題。

為半導體芯片封裝測試賦能

半導體芯片封裝變形，主要由器件自身的熱膨脹，或由其相連的焊點對芯片的作用力。熱載荷環(huán)境下的芯片微應變?nèi)珗鰷y量，基于顯微數(shù)字圖像相關(guān)（XTDIC-Micro）的熱應變?nèi)珗鰷y量技術(shù)，可滿足半導體封測企業(yè)迫切的封測缺陷和失效微應變測量。

在電路板裝配重要元器件過程中，元器件引腳部位易產(chǎn)生裝配應力和變形。電路板會因引腳產(chǎn)生裝配應力、蠕變造成無法工作，元器件引腳可靠性及熱效應分析非常重要。普通應變片直接覆蓋階梯下降區(qū)域，無法測量引腳部位應變分布變化。

通過引入XTDIC-MICRO顯微應變測量系統(tǒng)，測量逆變器電子元器件引腳下材質(zhì)基底的變形情況，可以系統(tǒng)獲取的應變和應變速率變化，判斷元器件的熱效應變形分布，直接給出缺陷和失效診斷依據(jù)，同時收集相關(guān)數(shù)據(jù)，方便調(diào)整、優(yōu)化封測工藝和流程。

元器件熱變形測量

電子元器件在使用過程中會出現(xiàn)發(fā)熱，發(fā)熱和冷卻過程可視為熱疲勞過程。不同溫度載荷下，元器件展現(xiàn)出不同應變分布特性和位移特性。

采用XTDIC-Micro顯微應變測量系統(tǒng)測量PCB板表面變形應變情況，分析其熱膨脹系數(shù)。通過搭配高低溫控箱，XTDIC-MICRO顯微系統(tǒng)搭配，采用顯微鏡，可在-40℃~150℃溫度變化下，測量PCB板出現(xiàn)應變集中和失效形式。

PCB板高低溫熱膨脹測試

芯片結(jié)構(gòu)復雜，各層材料熱膨脹系數(shù)的差異，會引起熱失配現(xiàn)象。芯片斷面不同材質(zhì)溫度變化變形及應變測量；采用光學體式顯微鏡，結(jié)合雙目立體視覺，實現(xiàn)三維全場變形；分析微觀尺度熱應變，與理論分析對比，驗證芯片材料可靠性。

芯片熱翹曲測試

采用數(shù)字圖像相關(guān)的測量技術(shù)實現(xiàn)微尺度變形測量，只需進行微納散斑制作，半導體待測區(qū)域表面作防反光處理。然后使用CCD 相機配合顯微鏡頭采集試件受熱前后散斑圖像，即可對芯片半導體在各種溫度環(huán)境、各種動態(tài)變化中進行全場應變測量。

想用戶所想，持續(xù)助力半導體產(chǎn)業(yè)

近年來，在國家政策的大力支持下，半導體芯片行業(yè)迎來了一個黃金發(fā)展時期。新拓三維自主研發(fā)的XTDIC-MICRO顯微應變測量系統(tǒng)，可以滿足半導體行業(yè)的在各種溫度環(huán)境下的測試需求，助力用戶優(yōu)化生產(chǎn)工藝，并在材料層面保證芯片半導體滿足封測性能需求。

目前，新拓三維已經(jīng)為許多半導體行業(yè)的主要客戶提供了服務。未來，新拓三維將始終站在半導體企業(yè)的角度，不斷研發(fā)封裝測試測量創(chuàng)新的解決方案，促進國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。