主題為“世界芯，未來(lái)夢(mèng)”的2022世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)于8月18至20日在南京國(guó)際博覽中心舉行。新拓三維攜半導(dǎo)體封裝數(shù)字化檢測(cè)方案亮相，顯微DIC測(cè)量方案專(zhuān)為微小尺度材料力學(xué)、芯片半導(dǎo)體熱學(xué)性能測(cè)試等打造，可服務(wù)于高性能半導(dǎo)體材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。

現(xiàn)代微電子與半導(dǎo)體的異質(zhì)性和空間尺寸不斷縮小，導(dǎo)致對(duì)定量全場(chǎng)變形數(shù)據(jù)的需求越來(lái)越大。數(shù)字圖像相關(guān)技術(shù)（DIC）可用于分析材料變形和應(yīng)變，但對(duì)于微觀尺度的芯片半導(dǎo)體樣件，無(wú)法從不同視角獲取所需的高放大倍率圖像。XTDIC-Micro顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)，基于新拓三維獨(dú)有的算法和圖像校正技術(shù)，可對(duì)掃描電子顯微鏡圖像出現(xiàn)的漂移和失真進(jìn)行校正，獲取掃描電子顯微鏡中試樣變形的準(zhǔn)確測(cè)量值，可以滿足納米級(jí)精度測(cè)量需求，保證微觀尺度材料變形測(cè)量的精度和可靠性。

XTDIC-Micro顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)可用于微觀尺寸樣件位移應(yīng)變測(cè)量，還可以搭配溫控箱，可提供-190°C~600°C（可定制）的溫度試驗(yàn)環(huán)境，配套溫度控制模塊進(jìn)行熱力學(xué)驗(yàn)證，并進(jìn)行精確的電子芯片熱翹曲、CTE（膨脹系數(shù)）測(cè)量，分析不同溫度下芯片材料與聚合物層材料由于溫度引起的變形梯度，截面熱變形效應(yīng)，可得到準(zhǔn)確的測(cè)量值。

元器件熱變形測(cè)量

逆變器模塊安裝于散熱平臺(tái)，接通電源后溫度升高，達(dá)到穩(wěn)定后持續(xù)一段時(shí)間，再放電。采用XTDIC-Micro測(cè)量逆變器電子元器件引腳下材質(zhì)基底的變形情況，選取某一點(diǎn)進(jìn)行Z方向位移分析，可看出升溫產(chǎn)生膨脹，恒溫保持不變，降溫曲線下降。

PCB板高低溫?zé)崤蛎洔y(cè)試

在-40℃~150℃溫度變化下，采用XTDIC-Micro顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量PCB板表面變形應(yīng)變情況，分析其熱膨脹系數(shù)。

芯片截面的面內(nèi)應(yīng)變

溫控箱溫度在10分鐘內(nèi)從25℃升溫至100℃后開(kāi)始降溫，采用XTDIC-Micro顯微應(yīng)變測(cè)量系統(tǒng)采集冷卻過(guò)程數(shù)據(jù)，分析芯片中不同材料受熱后應(yīng)變變化規(guī)律。

芯片熱翹曲測(cè)試

在0℃~100℃溫度范圍內(nèi),采用XTDIC-Micro系統(tǒng)測(cè)量芯片中心和四角截面，了解截線上的點(diǎn)到基準(zhǔn)平面的距離隨溫度增加的變化，分析翹曲變形變化規(guī)律。

25℃恒定溫度間隔25℃下，顯微DIC測(cè)量系統(tǒng)采集到的2D視圖，并分析對(duì)角線Z位移翹起曲線。